纳米SiO2/PI复合薄膜低温热膨胀系数的实验研究
王正道1
蒋少卿1
李艳2
付绍云2
1.北京交通大学,土木建筑工程学院,北京,1000442.中国科学院理化技术研究所,北京,100080
摘要：高热膨胀系数是聚酰亚胺薄膜在低温下作为热绝缘和电绝缘使用的主要不利因素之一.为了降低其热膨胀系数,选用低热膨胀系数的无机纳米SiO2对其进行改性,利用溶胶凝胶技术,制备了不同SiO2含量的纳米SiO2/PI复合薄膜.利用自行设计的一套薄膜样品低温热膨胀系数测量装置,对纳米SiO2/PI复合薄膜室温至低温(77 K)的热膨胀系数进行了测量,给出了SiO2含量、外加载荷对复合薄膜热膨胀系数的影响关系.
关键词：固体力学聚酰亚胺二氧化硅低温热膨胀系数
分类号：O39(应用力学)TB131(工程基础科学)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 44-47 )
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