基于氮化物半导体的远红外量子级联激光器
郑小秋
吕燕伍
1.北京交通大学,理学院,北京,1000442.北京交通大学,理学院,北京,100044
摘要：给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(～90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832 A/cm2)就能在室温下产生50/cm的阈值光学增益.还发现这种结构的特征温度T0高于136 K.
关键词：量子级联激光器氮化物半导体有效质量理论光学声子散射
分类号：TN214(光电子技术、激光技术)
资助基金：中国科学院项目（非规范项目）(60376014)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 46-50 )
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