高纯Ti3SiC2块体的热压原位合成及性能研究
唐兆云1
翟洪祥2
周洋2
艾明星2
黄振莺2
1.北京交通大学,理学院,北京,1000442.北京交通大学,机电学院,北京,100044
摘要：以Ti、Si和石墨粉为原料,以少量的Al为反应助剂,用反应热压(HP)工艺在1 450 ℃和25MPa下2 h制得纯度为97%、相对密度为98.45%、粒度为5～10 μm的Ti3SiC2多晶块体.其弯曲强度为407 MPa、室温电阻率为0.22×10-6 Ω·m、维氏硬度为3.97 GPa.与Barsoum和Ei-Raghy在1 600 ℃和40 MPa下烧结4 h获得的样品相比,本样品显示了较低的弯曲强度,基本相同的纯度、电阻率和硬度.
关键词：Ti3SiC2热压烧结弯曲强度电阻率硬度
分类号：TG113.2(金属学与热处理)
资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）(2003AA332080)
论文发表日期：2006-11-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 49-51,56 )
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