化学机械抛光中抛光垫作用分析
张朝辉1
杜永平1
常秋英1
雒建斌2
1.北京交通大学,机械与电子控制工程学院,北京,1000442.清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,100084
摘要：化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization,CMP)能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路(integrated circuit,IC)中起重要作用的一门技术.抛光垫是CMP性能的主要影响因素.这里建立了一个初步的二维流动模型以考虑抛光垫的弹性、孔隙参数、粗糙度以及晶片形状等因素对抛光液流动性能的影响,并通过数值模拟得出了它们对压力分布和膜厚等的作用.结果表明:由于抛光垫的变形和多孔性,承载能力将有所下降,膜厚增大,从而有利于抛光液中粒子和磨屑的带出.晶片表面曲率的变化对压力和膜厚的作用也很明显,全膜条件粗糙度的存在将引起流体压力的波动.研究为设计CMP中合适的抛光垫参数提供了初步的理论依据.
关键词：化学机械抛光抛光垫抛光液流动模型粗糙度压力波动
分类号：TH117(机械学（机械设计基础理论）)
资助基金：国家自然科学基金(50390060)教学改革项目(2004SM041)
论文发表日期：2007-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 18-21 )
英文信息