4H-SiC(0001)(3×3)重构的原子能态
王秀娥1
章小丽2
1.北京工商大学,数理系,北京,1000482.北京交通大学,理学院,北京,100044
摘要：为了探索SiC表面的结构和原子的能态,在650 ℃条件下,用低能电子衍射(LEED仪),观察到4H-SiC(0001)(3×3)重构面的LEED图样,利用配备有XPS设备的电子能量分析器,记录SiC(0001)(3×3)重构的角分辨X射线光电子能谱(XPS),得出该结构中Si2p和C1s的能态结构,进而发现SiC(0001)(3×3)重构面仅由硅原子形成,是在扭转的硅增层上的Si四聚物.通过比较体内和表面Si2p态的光电子能谱,得出表面Si2p态的漂移能量.
关键词：4H-SiC重构能态LEEDXPS束缚能能量漂移
分类号：O472.1(半导体物理学)
论文发表日期：2008-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 9-11 )
英文信息