SiC MOSFET有源驱动电路关断轨迹优化方法
陈月清1
郭希铮1
部旭聪1
郝瑞祥1
游小杰2
1.北京交通大学 电气工程学院,北京 1000442.北京交通大学 电气工程学院,北京 100044;轨道交通安全协同创新中心,北京 100044
摘要：SiC MOSFET的快速开关过程带来开关振荡、电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)问题,多电平有源驱动电路通过调节开关过程中的驱动电压可以优化其关断轨迹.针对有源驱动电路中间电平选取及作用时间的优化选择问题,提出一种SiC MOSFET关断轨迹优化方法.基于对关断机理的分析和等效电流斜率思路,建立SiC MOSFET关断轨迹预测模型,并利用所提基于目标函数的关断轨迹优化方法,求解有源驱动中间电平的优化作用时间和电平值,使得SiC MOSFET工作在关断电压尖峰和关断损耗的优化折衷点.研究结果表明:通过建立SiC MOSFET关断轨迹预测模型并结合所提关断轨迹优化方法,可准确预测并改善SiC MOSFET的关断轨迹,且模型最大误差不超过10%,验证了模型的准确性以及在不同驱动电阻下的适用性.
关键词：SiC MOSFET开关特性有源驱动轨迹预测模型
分类号：TM131.2(电工基础理论)
论文发表日期：2023-10-28
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：10( 126-135 )
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