突触后膜GluR2含量变化及脑继发性损害的实验研究
刘宝松
龙在云
曾琳
陈恒胜
1.第三军医大学大坪医院野战外科研究所,重庆,4000422.第三军医大学大坪医院野战外科研究所,重庆,4000423.第三军医大学大坪医院野战外科研究所,重庆,4000424.第三军医大学大坪医院野战外科研究所,重庆,400042
摘要：目的探讨缺血损伤后神经元突触后膜谷氨酸α-氨基羟甲基异恶唑丙酸(AMPA)受体第二亚单位(GluR2)的含量、受体离子通透功能变化及其在延迟性细胞死亡中的作用.方法采用PI染色和双重免疫荧光技术定量观察神经元死亡和突触GluR2含量变化,以膜片钳技术检测自发兴奋性突触后电流(mEPSCs)的变化.结果缺氧后神经元死亡数量明显增加;膜表面GluR2总量、含GluR2的突触数目以及突触部位GluR2含量都明显降低(P<0.05),膜表面GluR2含量下降以突触部位为主;缺乏GluR2的受体通道功能明显增强.结论缺氧损伤可致突触后膜表面GluR2含量降低,形成缺乏GluR2的新的AMPA受体通道,介导了Ca2+的快速内流,引起神经元的延迟性死亡.
关键词：脑损伤GluR2α-氨基羟甲基异恶唑丙酸受体自发兴奋性突触后电流
分类号：R651-34(外科学各论)
论文发表日期：2003-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 446-448 )
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