Cu在TaN(111)表面团聚行为的分子动力学模拟
陈蓓
韩波
周成冈
吴金平
1.中国地质大学理论化学与计算材料科学研究所,湖北武汉,4300742.中国地质大学理论化学与计算材料科学研究所,湖北武汉,4300743.中国地质大学理论化学与计算材料科学研究所,湖北武汉,4300744.中国地质大学理论化学与计算材料科学研究所,湖北武汉,430074
摘要：原子层沉积(ALD)是下一代超大规模集成电路的首选工艺,但是Cu籽晶层在阻挡层上的团聚限制了ALD工艺在半导体工业中的应用.目前对Cu在阻挡层TaN表面的团聚机理和行为还缺乏足够的理论认识,为此利用第一性原理密度泛函理论(DFT)对不同覆盖度下Cu原子在TaN(111)表面的吸附能和电荷转移进行了研究,结果显示,Cu在TaN(111)表面的吸附强度随着Cu覆盖度的增加而减弱.利用从头算分子动力学模拟了500 K温度下Cu单分子层在TaN(111)表面的吸附动力学行为,结果表明,在这一典型的ALD温度下,Cu层在TaN(111)表面发生团聚,与实验中的观察结果相符.
关键词：团聚TaNDFT分子动力学半导体材料
分类号：O647(物理化学（理论化学）、化学物理学)
资助基金：国家自然科学基金(20873127)
论文发表日期：2009-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 635-640 )
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