持续低剂量率辐射下HepG2细胞辐射敏感性与ATM磷酸化的关系
梅雀林1
杨建勇2
杜端明3
陈在中3
刘鹏程3
1.中山大学第一附属医院,广东,广州,510080;深圳北京大学,香港科技大学医学中心,广东,深圳,5180362.中山大学第一附属医院,广东,广州,5100803.深圳北京大学,北京大学深圳医院影像中心,广东,深圳,518036
摘要：目的 探讨持续低剂量率辐射下HepG2细胞ATM磷酸化的变化及其对HepG2细胞增殖活性的影响.方法 体外培养的HepG2细胞分别接受持续低剂量率(7.76 cGy/h)和高剂量率(4500 cGy/h)电离辐射,比较同等剂量下低剂量率和高剂量率辐射后HepG2细胞ATM磷酸化程度和细胞存活分数.结果 无论给予低剂量率或高剂量率照射.HepG2细胞接受0.5 Gy的电离辐射时,ATM蛋白均可达到最大的磷酸化.随着辐射剂量的增加,在持续低剂量率辐射下.HepG2细胞ATM磷酸化蛋白表达逐渐减弱;而在高剂量率辐射下,ATM磷酸化蛋白稳定不变.当高、低剂量率辐射诱导产生的ATM磷酸化程度相当时,两者的存活分数无明显差异(P＞0.05);当持续低剂量率辐射组ATM磷酸化蛋白表达明显弱于高剂量率辐射组时,HepG2细胞的存活分数显著低于高剂量率辐射组(P＜0.01).结论 持续低剂量率辐射增加了HepG2细胞的辐射敏感性,其机制与持续低剂量率辐射下部分ATM磷酸化蛋白失活有关.抑制ATM磷酸化,可以增加HepG2肝癌细胞的辐射敏感性.
关键词：γ-辐射肝肿瘤HepG2细胞辐射敏感性共济失调毛细血管扩张症突变基因
分类号：R358.4(基础医学)
资助基金：吴阶平医学科研基金(320.6720.0501;200404093)
论文发表日期：2007-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 1391-1395 )
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