加偏置电场量子阱中二次谐波产生系数的计算
谭鹏
李斌
1.佛山科学技术学院,光电子与物理学系,广东,佛山,5280002.佛山科学技术学院,光电子与物理学系,广东,佛山,528000
摘要：利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了加偏置电场量子阱中的二阶非线性光学极化率,得到了该系统的二次谐波产生系数的解析表达式.以典型的GaAs/AlGaAs量子阱为例作了数值计算,结果表明:二次谐波产生系数比相应体材料中的二次谐波产生系数大10倍以上,同时偏置电场强度对该系统的二次谐波产生系数有较大的影响,为实验上研究量子阱的非线性光学效应提供了必要的理论依据.
关键词：非线性光学量子阱二次谐波产生
分类号：O437(光学)
论文发表日期：2006-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 23-26 )
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