In1-xGaxN/Si异质结太阳能电池的光伏特性研究
董少光
佛山科学技术学院,光电子与物理学系,广东,佛山,528000
摘要：通过器件模拟对n-In1-xGaxN/p-Si异质结的光伏特性进行了研究,并与c-Si同质结薄膜电池的性能作了比较.研究表明:在AM1.5的光照条件下,n-IGN/p-Si异质结在最佳的电池设计、最佳的材料和最佳的操作参数条件下获得的电池效率达到了27%.电池效率受到薄膜质量的强烈影响,从电子亲和势、多数载流子的迁移率、少数载流子的寿命、薄膜厚度以及掺杂水平的变化可以得到说明.
关键词：太阳能电池InGaN光伏特性光致发光
分类号：TM914.4(独立电源技术（直接发电）)
论文发表日期：2007-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 1-5 )
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