X射线衍射V2O5在介孔二氧化硅上的分散研究
侯秀红
上海化工研究院,新技术开发室,上海,200062
摘要：采用X射线衍射技术(XRD)考察了金属氧化物V2O5在介孔二氧化硅分子筛上的分散,研究结果表明应用浸渍法将V2O5浸渍于介孔二氧化硅分子筛中,在低于V2O5熔点的适当温度下焙烧后,与未浸渍V2O5样品相比,晶胞参数a值明显增大,说明钒离子掺入了介孔二氧化硅分子筛的骨架中;在一定范围内随着V2O5加入量的增加其在介孔二氧化硅的表面的分散量也在增加,而V2O5残余晶相量远远低于加入的量,说明V2O5掺入介孔二氧化硅分子筛骨架的同时可在介孔二氧化硅的表面成单层分散.
关键词：介孔二氧化硅V2O5浸渍法单层分散掺入骨架
分类号：TG115.23(金属学与热处理)
资助基金：上海市纳米科技专项(0112Nm032)
论文发表日期：2007-11-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 11-13 )
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