InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池结构的优化研究
董少光
陈国杰
1.佛山科学技术学院 光电子与物理学系,广东 佛山,5280002.佛山科学技术学院 光电子与物理学系,广东 佛山,528000
摘要：用金属纳米粒子沉积在InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池表面，利用光散射来研究该电池改善后的光电性能。金属纳米粒子对量子阱太阳电池器件光电性能的作用结果是：用量子阱层与周围材料反射系数的差异来限制不同方向的入射光进入太阳电池器件侧面的传播路径。量子阱太阳电池通过这种结构优化设计，对于硅和 Au 纳米粒子，可以观察到短路电流密度分别增加了12.9%和7.3%，输出最大功率的转换效率分别增加了17%和1%。
关键词：InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池
分类号：TM914.4(独立电源技术（直接发电）)
资助基金：国家自然科学基金(61178030)
论文发表日期：2014-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 1-4 )
英文信息