在SiO2衬底上生长多晶Ge薄膜的结晶机制研究
董少光
庄君活
曾亚光
1.佛山科学技术学院物理与光电工程学院,广东佛山5280002.佛山科学技术学院物理与光电工程学院,广东佛山5280003.佛山科学技术学院物理与光电工程学院,广东佛山528000
摘要：在低温条件下生长的多晶Ge薄膜在光伏器件和电子器件领域具有非常广泛的应用.在实验研究中,利用Al诱导结晶的生长方法在200℃的低温条件下,在SiO2衬底上生长出结晶质量很好的多晶Ge薄膜.实验中,特意在Al薄膜和非晶Ge薄膜之间生长了一层很薄的GeOx扩散控制层.研究发现,在Al/a-Ge双层薄膜样品中,当Al薄膜与非晶Ge薄膜完成层交换后,生长出的多晶Ge薄膜的晶向得到了有效控制.在非晶Ge薄膜转变为多晶Ge薄膜的结晶过程中,通过进一步控制Ge晶颗粒的成核位置和密度以及二维生长的速率就可以制备出微米量级大小的Ge晶颗粒和(111)晶向较好的多晶Ge薄膜.
关键词：Al诱导结晶多晶Ge薄膜非晶Ge薄膜层交换
分类号：O484(固体物理学)
资助基金：国家自然科学基金(11474053)
论文发表日期：2019-11-30
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 11-17 )
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