基于光电化学刻蚀的GaN微纳加工研究
麦满芳1
杜亮2
刘国华2
朱传云1
1.佛山科学技术学院物理与光电工程学院,广东佛山528225;佛山科学技术学院粤港澳智能微纳光电技术联合实验室,广东佛山5282252.佛山科学技术学院物理与光电工程学院,广东佛山528225
摘要：开发了自制可视化光电化学微纳加工装置,对三电极体系中GaN表面的光电化学刻蚀进行研究.在酸性电解液中,光生空穴迁移到GaN/电解液的表界面,使得GaN表面发生氧化刻蚀反应.通过倒置光学显微镜连接CCD相机实时采集样品在刻蚀过程中的动态图像,观察反应的进程.通过扫描电子显微镜(SEM)对刻蚀后GaN的表面进行了表征.研究结果表明,在0.5V的刻蚀电压下GaN表面形成了多孔纳米结构.
关键词：光电化学刻蚀GaN微纳加工纳米孔
分类号：TN305.7(半导体技术)TB383(工程材料学)
资助基金：国家自然科学基金(11504242)广东省教育厅特色创新资助项目(2020KTSCX131)粤港澳智能微纳光电技术联合实验室资助(2020B1212030010)
论文发表日期：2022-11-30
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 28-33 )
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