退火温度对铌掺杂氧化铟透明薄膜性能的影响
林剑荣1
梁瑞斌1
彭璟怡1
陈建文2
肖鹏1
1.佛山科学技术学院物理与光电工程学院,广东佛山528000;佛山科学技术学院粤港澳智能微纳光电技术联合实验室,广东佛山5280002.佛山科学技术学院电子信息工程学院,广东佛山528000
摘要：采用磁控溅射法制备了铌(Nb)掺杂氧化铟(In2O3)透明薄膜(InNbO),研究了不同退火温度对薄膜的形貌、结构、光学透过率以及电学性能等的影响.研究表明,所制备的薄膜表面致密均匀、无明显孔隙与裂痕,薄膜呈现结晶相,无明显晶格畸变,在波长380～780 nm的可见光范围内透过率约86％,拟合的禁带宽度Eg随薄膜退火温度升高而增大,当薄膜进行400℃退火后,Eg为3.89 eV,未退火时薄膜电阻率最低(约9.4×10-2 Ω·cm),随退火温度升高薄膜的电阻率表现为先增大后减小.
关键词：磁控溅射InNbO透明薄膜退火处理透过率
资助基金：国家自然科学基金(61804029)广东省科技计划项目(2022A0505020022)粤港澳智能微纳光电技术联合实验室资助项目(2020B1212030010)
论文发表日期：2022-11-30
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：8( 34-41 )
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