一种基于伪差分结构的高频忆阻电路
张欣
于昕梅
佛山大学电子信息工程学院,广东佛山 528225
摘要：提出了一种基于伪差分结构的高频忆阻电路,该忆阻电路具有非线性的电压-电流关系,电路结构由5个MOS管构成,一端作为输入,一端作为固定偏置,结构简单井能提供稳定的电压增益,电路采用SMIC 180 nm CMOS工艺,版图面积仅为0.000 183 mm2.仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,忆阻电路的工作频率可以达到300 MHZ,结合蔡氏电路可以产生优异的混沌效果.所提出的基于伪差分结构的高频忆阻电路具有结构简单、功耗低、工作频率高、面积小、易于集成等优势,可广泛应用于信息安全芯片.
关键词：忆阻电路负阻抗转换器高频伪差分放大器
分类号：TN60(电子元件、组件)
资助基金：广东省普通高校重点实验室资助项目(2021KSYS008)
论文发表日期：2024-11-30
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：9( 46-54 )
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