VHF—PECVD系统能量馈入模式对薄膜均匀性的影响
胡德志1
吴金随2
官爱强2
彭涛2
1.华北科技学院机电工程学院,北京东燕郊,1016012.华北科技学院基础部,北京东燕郊,101601
摘要：为了解决甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备薄膜的非均匀性问题,采用准平面电路模型计算,给出了平板电极间电势的非均匀分布规律.在计算模型中,射频源采用面馈入的模式取代了点馈入的模式,使计算结果更贴近实际.研究表明,在60 MHz甚高频作用下,如果方形平板电极的边长超过1.3 m,电势分布非均匀度将超过10%.此外,研究还发现:如果射频源功率馈入端圆形接触面的半径从1 mm增加到22 mm,电势分布非均匀度相对降低了45%,将大大的提高薄膜的均匀性.同时,计算结果还表明:在条件允许的情况下,如果继续增加功率馈入端的半径,平板电极间的电势分布的非均匀性还能进一步降低.
关键词：电磁场与电磁波材料成型及控制薄膜技术准平面电路模型
分类号：O484(固体物理学)
资助基金：中央高校基本科研业务费专项(3142014035)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 73-77 )
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