矿用SiC-MOSFET充电器驱动电路的设计
张全柱
敬昌国
邓永红
1.华北科技学院 信息与控制技术研究所,北京 东燕郊 0652012.华北科技学院 信息与控制技术研究所,北京 东燕郊 0652013.华北科技学院 信息与控制技术研究所,北京 东燕郊 065201
摘要：针对矿用井下充电器存在规格多、体积大、质量大、效率低等问题,本文选择在主电路拓扑结构中采用碳化硅器件.依据碳化硅器特性,本文采用集成驱动核设计了一款驱动电路,分析了碳化硅驱动电路的技术特点,计算了驱动功率,给出了驱动电路的设计原理图.实验结果表明:设计的SiC-MOSFET驱动电路有较好的可靠驱动能力,具有较好的保护能力.
关键词：SiC-MOSFETAPD202驱动电阻驱动电路
分类号：TM133(电工基础理论)
资助基金：中央高校基本科研业务费专项(3142020040)
论文发表日期：2020-12-28
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 59-64,76 )
英文信息