并联SiC-MOSFET可调节驱动电路设计
汪俊奇
邓永红
徐海超
张腾召
汤礼凤
华北科技学院 信息与控制技术研究所,北京 东燕郊 065201
摘要：目前,在电动汽车、航空航天、煤矿、海洋油田等高电压等级、高频、高温、高功率密度环境中,碳化硅器件容易出现过流过压等短时过载情况而目前市场应用的多数驱动电路无法适应各种型号的SiC-MOSFET,本文设计了一种以IX4351为驱动芯片,可适应大多数厂家碳化硅器件参数的驱动电路.该驱动电路可实现负压调节自适应各类型号的SiC-MOSFET并且能够提供足够的峰值电流,实现驱动碳化硅并联电路,分析了碳化硅驱动电路的特点,计算了驱动功率,给出以IX4351为驱动核的驱动电路原理图.仿真和实验结果证明,本文中设计的SiC-MOSFET驱动电路可驱动并联SiC-MOSFET,能够驱动不同厂家提供的不同参数的碳化硅器件.
关键词：并联SiC-MOSFETIX4351驱动电路驱动电阻
分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)TN386(半导体技术)
资助基金：中央高校基本科研业务费资助项目(3142018049)卓越工程师教育培养计划(GXHZ2017-05)
论文发表日期：2022-10-28
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：9( 62-70 )
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