GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用
李兴鳌1
桑斌2
肖渊2
阮存军2
庞文宁2
尚仁成2
1.湖北民族学院,物理系,湖北,恩施,4450002.清华大学,物理系,极化物理实验室,北京,100084
摘要：GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末在国际上出现的一种新型极化电子源.它采用GaAs半导体晶片作为光阴极,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上,以获得负电子亲和势(Negative Electron Affinity)表面,然后通过用波长合适的圆偏振激光照射光阴极,来获得自旋极化的电子束.详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程,并介绍了极化电子在极化(e,2e)反应中的应用.
关键词：极化电子束极化电子源负电子亲和势极化(e2e)
分类号：O572.2(原子核物理学、高能物理学)
资助基金：国家自然科学基金(19874037)湖北省教育厅科学技术研究项目(2001A08010)
论文发表日期：2002-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 30-32 )
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