低TCR锰铜薄膜的制备
叶伏秋
吉首大学,物理与电子工程系,湖南,吉首,416000
摘要：根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化.同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coefficient of Resistance)值的因素及机理进行了讨论.
关键词：锰铜薄膜电阻温度系数直流磁控溅射
分类号：TP212(自动化技术及设备)
资助基金：湖南省教育厅科研项目(03C336)
论文发表日期：2004-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 49-51 )
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