氮化铜薄膜的结构与组成分析
左安友
袁作彬
杨建平
李兴鳌
1.湖北民族学院,理学院,湖北,恩施,4450002.湖北民族学院,理学院,湖北,恩施,4450003.湖北民族学院,理学院,湖北,恩施,4450004.湖北民族学院,理学院,湖北,恩施,445000
摘要：采用反应直流磁控溅射的方法在室温下,在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜是择优生长取向的,在低氮气分压时薄膜择优[111]晶向生长,在高氮气分压条件下薄膜的择优生长取向为[100]、[111];XPS分析表明,在低氮气分压时,薄膜主要由Cu3N和Cu组成;在高氮气分压时,薄膜主要由Cu3N组成,而Cu的含量很少.
关键词：氮化铜薄膜直流磁控溅射X射线衍射X射线光电子能谱
分类号：O484.1(固体物理学)
资助基金：湖北省教育厅科学技术研究项目(2003A001)
论文发表日期：2006-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 173-175 )
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