等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究
朱永丹1
杨建平2
李兴鳌3
左安友2
袁作彬2
1.湖北民族学院,信息工程学院,湖北,恩施,4450002.湖北民族学院理学院,湖北,恩施,4450003.湖北民族学院,信息工程学院,湖北,恩施,445000;湖北民族学院理学院,湖北,恩施,445000
摘要：等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.
关键词：集成电路制造等离子体蚀刻蚀刺率选择比
分类号：O593(应用物理学)
资助基金：湖北省教育厅重点项目(D200529002)湖北省教育厅重点项目(B20082902)
论文发表日期：2008-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 179-182 )
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