硅基多孔阳极氧化铝模板的制备研究
吴国伟1
汪晶1
方小利1
刘文秋1
李美亚1
朱永丹2
1.武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,4300722.武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;湖北民族学院信息工程学院,湖北,恩施,445000
摘要：利用电子束蒸发在硅衬底上制备Al膜,并制备硅基阳极氧化铝(AAO)模板;利用X射线衍射和扫描电子显微镜对模板的结构和形貌进行了表征;利用计算机对阳极氧化电流的实时观测监控了硅基AAO模板的自组装过程.优化了制备孔洞规则的高质量硅基阳极氧化铝模板的条件,该模板对进一步研究硅基AAO模板多铁功能纳米管线及相应的器件奠定了基础.
关键词：多孔氧化铝(AAO)模板硅基SEM生长机理
分类号：TQ153.6(电化学工业)
资助基金：国家自然科学基金(50872097)湖北省教育厅项目(B20101902)
论文发表日期：2011-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 28-31 )
英文信息