Mg掺杂ZnSe电子结构与光学性质的第一性原理研究
张昌华
余志强
郎建勋
来国红
李时东
1.湖北民族学院电气工程系,湖北恩施,4450002.湖北民族学院电气工程系,湖北恩施,4450003.湖北民族学院电气工程系,湖北恩施,4450004.湖北民族学院电气工程系,湖北恩施,4450005.湖北民族学院电气工程系,湖北恩施,445000
摘要：采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,结合广义梯度近似,对Mg掺杂闪锌矿ZnSe的MgxZn1-xSe电子结构和光学性质进行了研究.结果表明:MgxZn1-xSe是一种直接带隙半导体,其价带顶主要由Se-4p态电子构成,位置基本保持不变;导带底主要由Se-4s态电子和Zn-4s态电子共同决定,并且随着掺杂浓度的增大向高能区方向移动,其能隙宽度随掺杂量的增大而变宽,吸收光谱出现蓝移,计算结果与现有文献符合得很好.
关键词：第一性原理硒化锌电子结构光学性质
分类号：O471(半导体物理学)
资助基金：湖北省教育厅中青年创新团队项目(T201214)
论文发表日期：2015-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 38-42 )
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