Cu2O电子结构与光学性质的第一性原理研究
张昌华
余志强
1.湖北民族学院 电气工程系,湖北 恩施,4450002.湖北民族学院 电气工程系,湖北 恩施,445000
摘要：采用基于第一性原理的密度泛函理论计算，系统研究了块体 Cu2 O 的电子结构和光学性质.结果表明，块体Cu2 O 为直接带隙半导体，最小禁带宽度为0.52eV；其价带顶主要 Cu-3d 态电子和 O-2p 态电子构成，而导带底则主要由 Cu-4p 态电子和 O-2p 态电子共同决定；块体 Cu2 O 的静态介电常数为8.27，光吸收系数最大峰值1.83×105 cm-1，研究结果为 Cu2 O 在光电器件方面的应用提供了理论基础.
关键词：第一性原理Cu2O电子结构光学性质
分类号：O471.5(半导体物理学)
资助基金：湖北省自然科学基金项目(2015CFC784)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 50-53 )
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