正加速度致脑损伤和学习记忆障碍的多重机制假说
孙喜庆
吴兴裕
李金声
曹新生
1.第四军医大学航空航天生物动力学教研室,陕西西安,7100322.第四军医大学航空航天生物动力学教研室,陕西西安,7100323.第四军医大学航空航天生物动力学教研室,陕西西安,7100324.第四军医大学航空航天生物动力学教研室,陕西西安,710032
摘要：作者利用动物离心机较系统地研究了高G暴露对脑的影响及其机制,联系国内外加速度生理研究最新进展,提出了高G致脑损伤和学习记忆障碍的多重机制假说,认为高G暴露引起的脑缺血是导致脑损伤和学习记忆障碍的主要原因,其生物化学及分子生物学机制涉及脑能量代谢降低、脑离子平衡紊乱、血脑屏障通透性增加、脑一氧化氮合酶和c-fos表达增加及热休克蛋白(HSP70)的保护作用等;颅内压力剧烈变化和应力增加是高G致脑损伤的重要因素之一;血液流变学特性改变在高G致脑损伤中起一定作用.
关键词：正加速度脑损伤学习记忆+Gz离心机
分类号：R852.21(航空航天医学)
资助基金：国家自然科学基金(39800158)军队科研项目(98Q065)军队杰出人才基金(01H028)
论文发表日期：2004-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 297-302 )
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