高分辨率经颅直流电刺激对第二外语联想记忆能力的影响
郝学元
张诚超
徐星亮
王天宇
南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院,江苏南京210023
摘要：目的 基于联想记忆表现评估经颅直流电刺激对联想记忆能力的影响,选取最优刺激靶点.方法 将15名志愿者随机分成刺激组和对照组,分别分批使用高分辨率经颅直流电真/伪刺激左侧顶下小叶(P3)和左前额叶(F3).评估刺激前后第二外语记忆能力,记录正确情况和反应时间.将记录到的数据进行配对样本t检验,分析其经颅直流电刺激对联想学习表现的影响,比较靶点优劣.结果 对受试者施加1.5 mA经颅直流电刺激后,分析刺激前后记忆表现数据变化,发现受试者在两次刺激后联想记忆能力均得到加强(P＜0.05).两靶点刺激均有益于提升关于第二外语联想记忆能力.靶点间对比无显著性差异(P＞0.05).结论 左侧顶下小叶和左前额叶均可以作为有效靶点提升第二外语学习表现.
关键词：经颅直流电刺激联想学习第二外语学习任务最优靶点记忆能力
分类号：TM93(电气测量技术及仪器)
资助基金：国家自然科学基金(61977039)
论文发表日期：2021-12-15
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 448-454 )
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