基于SiC MOSFET的功率合成发射机
费广乐
中国人民解放军南部战区海军参谋部信息保障处 湛江 524003
摘要：针对在对潜甚低频通信中的长波通信功率放大技术中存在的功率损耗大、功率密度低等问题,论文提出采用第三代宽禁带半导体SiC器件制作功率合成发射机.其能够提高功率密度,减少功率损耗.论文详细分析了基于SiC MOS?FET的功率合成发射机的基本原理以及参数设计,并且推导了级联功率桥消除低次谐波的控制算法和可调直流电源的闭环控制算法,并通过Matlab/Simulink仿真验证了参数设计的合理性.
关键词：SiC MOSFET发射机甚低频Matlab/Simulink
分类号：TN957(雷达)
论文发表日期：2019-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 68-72,76 )
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