基于SiC的雷达微波放大器高频电源设计
李楠
中航工业雷华电子技术研究所 无锡 214100
摘要：论文介绍了一种利用3.3 kV碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管实现22 Vdc至2.5 kVdc宽电压的1kW电源方案.电源为舰船雷达诱饵中的固态微波功率放大器提供能量.高压碳化硅半导体用于在高频下切换高电压,且不需要串联转换器.为了消除开关损耗和最小化噪声,采用半桥零电压开关ZVS拓扑.还给出隔离栅极驱动和2.5 kV启动的注入解决方案.经过器件特性分析、电路设计封装和台式实验,证明高压SiC-MOSFET和肖特基二极管的组合是该应用中实现高频、高功率密度转换的有效技术.
关键词：碳化硅场效应管微波功率放大器高频电源
分类号：TN95(雷达)
论文发表日期：2024-04-20
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 71-75 )
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