功率器件功率循环仿真及引线键合寿命分析
高会壮1
张如月2
王长鑫1
曹阳1
武荣荣1
1.航天科工防御技术研究试验中心 北京 1008542.中国计量大学 杭州 310018
摘要：在人们对功率半导体器件相关性能要求不断提高的情况下,其封装可靠性得到越来越多的重视.为了使器件整体满足在高温、高频率、大功率、抗辐射等工作条件下的可靠性能力,需重点突破制约三代半导体可靠性发展的新型封装材料或改进封装技术.论文以典型SiC MOSFET为研究对象,通过构建与功率循环试验相适应的仿真方法,研究在典型功率循环条件下器件键合点可靠性问题.在不同键合线线径及循环次数条件下,得到相应的应变及应变能密度,利用损伤累积的能量模型对器件键合点寿命进行了分析计算,实现了采用仿真手段对功率器件在功率循环试验中键合点可靠性的分析与评价.
关键词：功率器件功率循环试验损伤累积寿命预测
分类号：TM743(输配电工程、电力网及电力系统)
论文发表日期：2024-10-20
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 66-70,74 )
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