深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
童建农
邹雪城
沈绪榜
1.华中科技大学IC设计中心,武汉,4300742.华中科技大学IC设计中心,武汉,4300743.华中科技大学IC设计中心,武汉,430074
摘要：深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型.本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证.
关键词：MOSFET玻耳兹曼传输方程速度过冲效应BSIM3模型
分类号：TN403(微电子学、集成电路（IC）)
论文发表日期：2004-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 4-7 )
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