一种高精度的带隙基准电压源及电流源
黄晓敏
陈朝阳
邹雪城
蒋湘
1.华中科技大学图像识别与人工智能研究所,武汉,4300742.华中科技大学图像识别与人工智能研究所,武汉,4300743.华中科技大学图像识别与人工智能研究所,武汉,4300744.华中科技大学图像识别与人工智能研究所,武汉,430074
摘要：设计了一种采用0.25μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源,该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达5ppm/℃,电源抑制比可达到62dB.在此基础上设计了一种基准电流源,其温度系数可达6ppm/℃,输出电流变化率仅为0.03%/V.
关键词：CMOS带隙电压源电流源
分类号：TN86(无线电设备、电信设备)
论文发表日期：2004-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 62-64,81 )
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