铁电存储器的基本单元及其工作模式
李建军
王耘波
王龙海
高俊雄
于军
1.华中科技大学电子科学与技术系,武汉,4300742.华中科技大学电子科学与技术系,武汉,4300743.华中科技大学电子科学与技术系,武汉,4300744.华中科技大学电子科学与技术系,武汉,4300745.华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
摘要：按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管FFET两种结构形式的分类,分别介绍了1T/1C,2T/2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体(MFS)结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式.
关键词：FRAM FFET2T/2C1T/1C
分类号：TP333(计算技术、计算机技术)
资助基金：教育部科学技术研究项目(90407023)
论文发表日期：2006-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 8-12 )
英文信息