非对称结构相变存储单元的三维模拟与分析
孙巾杰1
缪向水1
程晓敏1
鄢俊兵2
1.华中科技大学光电国家实验室信息存储部,武汉,4300742.华中科技大学光电国家实验室信息存储部,武汉,430074;山东华芯半导体有限公司,济南,250101
摘要：文章提出一种具有非对称结构的新型相变存储器单元结构,并通过有限元方法对该非对称结构相变存储单元进行了三维电热模拟.模拟结果表明,在相同的特征尺寸下,非对称结构相变存储单元的操作电流明显小于传统的对称型T型结构相变存储单元.
关键词：相变随机存储器非对称结构三维有限元分析
分类号：TP391(计算技术、计算机技术)
资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）(2009AA012113)国家高技术研究发展计划（863计划）(2009AAOIA402)
论文发表日期：2011-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 10-12,32 )
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