MOSFET和IGBT的对比分析
柳超
李慧芬
董颖辉
1.海军工程大学电子工程学院通信工程系 武汉4300332.海军工程大学电子工程学院通信工程系 武汉4300333.海军工程大学电子工程学院通信工程系 武汉430033
摘要：目前,开关管MOSFET和IGBT是固态发射机常用的功率放大器,但是选择MOSFET还是IGBT,还是要根据实际需要.论文对额定功率值相同的MOSFET和IGBT进行对比分析,不仅从器件的构造与特征、电性能参数、温度效应等方面考虑,而且介绍了一种计算总功耗、可使用开关频率和结温的方法.计算结果表明:IGBT的总功耗略小于MOSFET,IGBT优于MOSFET.
关键词：结温功耗金属氧化物场效应晶体管绝缘双栅极型动率管
分类号：TN821+.6(无线电设备、电信设备)
论文发表日期：2013-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 1772-1773,1849 )
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