单片电路晶体管模型参数提取专用 TRL 校准件磁
刘晨
孙静
吴爱华
栾鹏
郑延秋
梁法国
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摘要：为了满足 GaAs 微波单片晶体管模型参数精确提取需求，论文开展了在 GaAs 衬底上制作专用 TRL 校准件的研究工作，该专用校准件在设计过程中，综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素，使校准后在片 S 参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯，从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证，制作了在片无源检验件，通过测量结果与电磁场仿真数值的对比，证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。
关键词：在片 TRL 校准在片 S 参数晶体管表征
分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)
论文发表日期：2015-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 21-23,74 )
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