二氧化硅膜厚标准样片的研制与评价∗
赵琳
梁法国
韩志国
李锁印
付少辉
1.中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 0500512.中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 0500513.中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 0500514.中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 0500515.中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 050051
摘要：介绍了二氧化硅膜厚标准样片的用途及国内研制样片的情况,设计了二氧化硅膜厚样片的制作版图,分别采用热氧化和等离子化学气相淀积(PECVD)工艺制备了厚度为10nm~1000nm的硅上二氧化硅膜厚样片.以10nm、1000nm为例对样片的薄膜厚度、均匀性、稳定性进行了考核.结果表明,热氧化工艺制备的膜厚样片质量优于PECVD工艺制备的膜厚样片,研制的膜厚样片的膜厚量值与设计值基本一致,稳定性好,与美国VLSI公司的相同膜厚的膜厚标准样片相比,采用热氧化工艺制作的二氧化硅膜厚样片的均匀性与VLSI样块评价测量结果一致.
关键词：膜厚标准样片热氧化等离子化学气相淀积均匀性稳定性
分类号：TN304(半导体技术)
论文发表日期：2019-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 5-8,56 )
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