28nm工艺基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计
张博翰
陈建军
梁斌
罗园
黄俊
朱小娜
1.国防科技大学计算机学院 长沙 4100002.国防科技大学计算机学院 长沙 4100003.国防科技大学计算机学院 长沙 4100004.国防科技大学计算机学院 长沙 4100005.国防科技大学计算机学院 长沙 4100006.国防科技大学计算机学院 长沙 410000
摘要：高速串行接口芯片是通信领域的核心芯片,也是云计算的核心互联芯片,高速串行接口芯片的IO在实现高速率的同时如何保证其军品ESD指标是关键难点之一.传统的设计方法,在保证ESD防护能力的前提下,高速IO设计往往无法达到预期的带宽.针对传统设计方法存在的缺点,采用基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO电路结构.然后,完成28nm工艺下基于T_Coil结构的带ESD防护器件的高速IO设计,采用反向二极管技术设计ESD防护器件,使用CadenceVirtuoso软件完成其电路设计和版图设计.最后,基于仿真工具给出了功能性能仿真结果和带寄生参数的仿真结果,并与传统技术进行对比,设计实现了16Gbps的速率.
关键词：28nm工艺高速IO设计ESDT_Coil结构
分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)
资助基金：国家自然科学基金(61434007)国家自然科学基金(61804180)
论文发表日期：2019-11-20
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 2661-2666,2807 )
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