28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计
宋圣宇
陈建军
文溢
邢海源
李梦姿
郭阳
1.国防科技大学计算机学院 长沙 4100002.国防科技大学计算机学院 长沙 4100003.国防科技大学计算机学院 长沙 4100004.国防科技大学计算机学院 长沙 4100005.国防科技大学计算机学院 长沙 4100006.国防科技大学计算机学院 长沙 410000
摘要：随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要.LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品.经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参数,然后通过电路级的优化以提高某些性能指标.最终得到的LDO电路能够稳定输出0.9V的电压,并且在温度系数,低功耗和低噪声等方面表现良好.
关键词：低压差线性稳压器带隙基准电路28nm工艺温度系数低功耗低噪声
分类号：TM44(变压器、变流器及电抗器)
资助基金：国家自然科学基金(61974163)国家自然科学基金(61804180)
论文发表日期：2019-11-20
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：8( 2738-2745 )
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