VDMOS雪崩耐量参数测试技术研究
乔文霞
黄伟
中国船舶重工集团公司第七二二研究所 武汉 430205
摘要：目前,很难找到介绍关于VDMOS参数的测试方法的文献,而且所能找到的文献主要介绍的都是VDMOS的基本测试方法,且多是静态参数.而VDMOS的动态参数占全部待测参数的70％之多,不同的参数需要搭建不同的测试电路环境,并且由于动态参数测试较复杂,因此很难实现快速准确的测量,尤其是大功率VDMOS动态参数.只有建立全面的参数测试手段,方能指导器件的研发及使用.论文重点分享了在VDMOS雪崩耐量测量中技术难点和解决思路.论文涉及的工作内容对于目前国内研发VDMOS器件的测试工作将起到一定的指导作用.
关键词：VDMOS动态参数雪崩耐量测试
分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)
论文发表日期：2021-04-20
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 630-633 )
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