真空蒸镀中蒸镀源冷却时间对LED芯片性能的影响
郑宏
天津三安光电有限公司 天津 300384
摘要：主要介绍了LED红光芯片的常规正装垂直结构,以Cr/Ti/Al结构作为金属P电极,在真空蒸镀过程中各层间的蒸镀源冷却时间对LED芯片性能的影响.通过实验Cr/Ti间、Ti/Al间不同蒸镀源冷却时间反映出,对于单层Cr/Ti间冷却时间缩短,或双层Cr/Ti间及Ti/Al间蒸镀源冷却时间缩短到一定时间内,均可以有效降低LED芯片在生产制备环节中的电压,而对亮度影响较小,说明层间界面电阻在一定程度上会受蒸镀源冷却时间的影响.
关键词：发光二极管P电极电子束真空蒸镀蒸镀源冷却时间界面电阻
分类号：TN1(真空电子技术)TN3(半导体技术)
论文发表日期：2020-02-28
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 70-72 )
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