对ZnO压敏电阻隧道效应的探讨
许业文1
朱基千2
徐政2
1.同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092;总装备部工程兵科研一所,江苏,无锡,2140352.同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092
摘要：根据氧化锌压敏电阻的微观结构,提出了势垒交错导致共振隧穿的模型,并运用传递矩阵法合理地解释了ZnO压敏电阻的隧道效应,所得的隧穿电流符合实际ZnO压敏电阻在击穿区的温度特性.
关键词：ZnO压敏电阻隧道效应势垒交错共振隧穿传递矩阵法
分类号：TQ174.75+8.11(硅酸盐工业)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 174-178 )
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