降温速率对低压ZnO压敏电阻性能的影响
林枞1
许业文2
徐政1
1.同济大学,材料科学与工程学院,上海,2000922.同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092;总装备部工程兵科研一所,江苏,无锡,214035
摘要：采用低压ZnO压敏电阻配方,利用正电子湮没寿命谱(PAS)及SEM,对试样微结构进行了分析.结果表明,急冷能使低压ZnO压敏电阻的微空洞尺寸增大,缺陷浓度降低.通过分析PAS参数与电性能参数的关系,对急冷能明显降低电压梯度提出了新的解释.
关键词：正电子湮没ZnO压敏陶瓷空位缺陷急冷
分类号：TN304.93(半导体技术)
论文发表日期：2007-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 55-58 )
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