氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si纯ZnO相的研究
李庚伟1
吴正龙2
杨少延3
1.中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京,1000832.北京师范大学分析测试中心,北京,1008753.中国科学院半导体材料科学实验室,北京,100083
摘要：通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析.结果表明:用该法可生长出正化学比的纯ZnO相,脉冲激光淀积(PLD)法生长ZnO/Si样品时氧离子束辅助(O+-assisted)是必要的.
关键词：ZnO/Si异质结构X射线光电子能谱(XPS)氧离子束辅助(O+-assisted)俄歇参数α′脉冲激光淀积(PLD)
分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)
资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）(863-715-001-0162)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 193-197 )
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