氧离子束辅助PLD法生长ZnO/Si的XPS研究
李庚伟1
吴正龙2
刘志凯3
1.中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京,1000832.北京师范大学分析测试中心,北京,1008753.中国科学院半导体材料科学实验室,北京,100083
摘要：利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对ZnO/Si异质结构同一典型样品的不同部位进行了分析.讨论了同时刻(厚度)样品的生长情况及所说明的问题.提出要使样品生长得更理想,应做到使DIBD系统连续工作.
关键词：ZnO/Si异质结构X射线光电子能谱(XPS)氧离子束辅助(O+-assisted)PLD
分类号：O611(无机化学)
资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）(863-715-001-0162;200524)
论文发表日期：2007-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 24-27 )
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