GaN纳米线缺陷形成和磁性研究
王宇鹏
渤海大学 高职学院,辽宁 锦州,121013
摘要：利用第一性原理研究了Co掺杂GaN纳米线缺陷形成能和磁性质。一方面分析了Co杂质取代Ga和N的形成能，计算表明Co优先取代GaN纳米线表面的Ga原子。另一方面通过计算8个不同几何结构在铁磁和反铁磁态下的自由能，分析了Co掺杂GaN纳米线的磁性质，结果表明在基态下纳米线具有铁磁稳定性。
关键词：第一性原理半导体磁性缺陷
分类号：O481.1(固体物理学)O561.1(分子物理学、原子物理学)
资助基金：国家自然科学基金(61274101)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 135-139 )
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