500V高压平面功率VDMOS场效应晶体管结构参数优化
李媛
周涛
焦书豪
1.渤海大学 新能源学院,辽宁 锦州,1210132.渤海大学 新能源学院,辽宁 锦州,1210133.渤海大学 新能源学院,辽宁 锦州,121013
摘要：击穿电压是VDMOS器件的重要构造参数之一,它和漏极最大电流IDMAX一同限制了该器件的运转范围.由于击穿电压的范围随功率器件运用范围的不同而出现较大差异,故本文利用Silvaco-TCAD的仿真平台对设定击穿电压为500 V的VDMOS进行结构参数设计与优化.首先对VDMOS设计出合适的外延层参数即外延层掺杂浓度NB和外延层厚度We;然后用ATHENA软件对VDMOS进行工艺仿真,得出结果:对VDMOS进行提取的各结构参数与预计相符;最后又通过ATLAS软件对VDMOS的转移特性,击穿特性及输出特性进行仿真,得到的阈值电压及击穿电压与所要求的数值吻合.因此,通过对500 V VDMOS结构参数的优化和改进,从而实现高性能VDMOS器件的高可靠性.
关键词：击穿电压工艺仿真转移特性输出特性
分类号：TN386.1(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金项目(11304020)
论文发表日期：2018-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 263-268 )
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