SiC MOSFET的研究进展
周然
冯松
吴鉴洋
曾雨玲
何心怡
李浩杰
郭少凯
后林军
欧阳杰
霍文博
西安工程大学理学院,陕西西安 710048
摘要：相比于传统的Si MOSFET(Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)而言,以SiC MOSFET为首的第三代功率半导体器件迎来高速发展,因其具有更低的成本、更高的禁带宽度、更高的击穿电压、更低的导通电阻,被广泛的应用于集成电路产业等领域.从不同的材料和结构总结了目前国内外SiC MOSFET的研究进展,分析了 3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC这3种材料在SiC MOSFET制备时的优势和不足,针对沟槽外延型和沟槽注入型两种结构的SiC MOSFET进行了器件性能参数的比较.通过对SiC MOSFET不同材料特点的总结,对比不同结构的优势和不足,为将来进一步研发更高击穿电压和更高性能的SiC MOSFET提供了研究思路.随着研究的不断深入和技术的不断进步,SiC MOSFET的工作环境不再局限于现有的条件下,而是应用于更多的领域中.
关键词：半导体器件功率器件MOSFET碳化硅4H-SiC
分类号：TN304(半导体技术)
资助基金：2018YFB2200500(No)61204080(No)SKL201804(No)2022GY-012(No)
论文发表日期：2024-09-15
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：11( 230-240 )
英文信息